پیشرفت‌های اخیر در فناوری‌های میکروالکترونیک، به‌ویژه در حوزه‌ی یکپارچه‌سازی فرآیند دوقطبی (Bipolar CMOS یا BiCMOS)، تحولات چشمگیری را در صنعت نیمه‌هادی به‌وجود آورده‌اند. این فناوری‌ها با ترکیب مزایای ترانزیستورهای دوقطبی (BJT) و ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه‌هادی اکسید-فلز (MOSFET)، امکان دستیابی به عملکردهای با سرعت بالا و توان مصرفی بهینه را فراهم می‌کنند. در سال‌های اخیر، پیشرفت‌های قابل‌توجهی در کاهش ابعاد فناوری به مقیاس چند نانومتری (زیر ۱۰ نانومتر) صورت گرفته‌است که منجر به افزایش چگالی ترانزیستورها، بهبود فرکانس‌های کاری (تا محدوده‌ی صدها گیگاهرتز) و کاهش مصرف انرژی شده‌است. همچنین، استفاده از مواد جدید مانند سیلیسیم-ژرمانیم (SiGe) و فناوری‌های پیشرفته‌ی لیتوگرافی، امکان دستیابی به سرعت‌های سوئیچینگ بالاتر و نویز کمتر را فراهم کرده‌است. این مقاله به بررسی آخرین دستاوردها در زمینه‌ی یکپارچه‌سازی فرآیند دوقطبی، چالش‌های پیش‌رو و چشم‌اندازهای آینده در این حوزه می‌پردازد.