در این مقاله ترابرد وابسته به اسپین نانو ورقه های سیلیسینی از سد پتانسیل الکتریکی در حضور برهم کنش اسپین مدار راشبا با استفاده از هامیلتونی دیراک و رهیافت ماتریس انتقال بررسی شده است. بخش اساسی این سیستم یک نانو ورقه ی سیلیسنی است که یک گیت فلزی در بالای آن قرار داشته و باعث ایجاد سد پتانسیلی به ارتفاع V_0 می شود. این سامانه به صورت یک سد تونلی می باشد. خواص ترابری در حضور و عدم حضور میدان الکتریکی خارجی که عمود بر صفحه سیلیسین در ناحیه سد پتانسیل قرار می گیرد بررسی می شود. در حضور میدان الکتریکی اثر راشبای خارجی در سد پتانسیل علاوه بر راشبای ذاتی ایجاد می شود. با در نظر گرفتن بر هم کنش اسپین مدار راشبا و اعمال میدان الکتریکی خارجی عمود بر نمونه، این سیستم می تواند به عنوان فیلتر کننده اسپین عمل نموده و انتقال وابسته به اسپین ایجاد نماید به طوري که یک جریان اسپینی را عبور داده و اسپین نوع مقابل را کاملاً فیلتر می کند. دریافتیم با اعمال میدان الکتریکی به تنهایی می توان فیلترهای اسپینی کاملی که از خارج نمونه قابل کنترل می باشند را ایجاد نمود. همچنین ما نتایج کار خود را با شرایط یکسان ولی بدون در نظر گرفتن راشبا مقایسه نموده، دیدیم که علاوه بر نتایج اولیه، در غیاب راشبا فیلتر دره ای نیز خواهیم داشت.