ما اثر ساختار کم¬اثر¬پذیر را در حالت توزیع نوری و مشخصه¬های رشته لبه موجبر با خارج کردن AlGaInP–GaInP در دیودهای لیزری مرئی (LDs) را بررسی می¬کنیم. برای طرح¬های متداول تک لایه Si3N4 یا SiO2 کم¬اثر¬پذیر هستند، اختلاف جانبی در میدان نزدیک با تعیین حدود و در سطح افقی دور از میدان (FF) واگرایی می¬تواند با تغییر ضخامت لایه دی الکتریک معین شود. لایه نازک کم¬اثر¬پذیر جذب بالایی را در رابط فلزی تحمل می¬کند، درحالیکه ضخامت کم¬اثر¬پذیر اتلاف گرمای ضعیفی را در رشته موجبر و پراکندگی اتلاف را تحمل می¬کند که نتیجه آن در حدنهایی بالا است. ما یک طرح جدید را از چندین لایه Al2O3/ Ta2O5 سه جفتی در پرده¬های نازک نوری بشکل کم¬اثر¬پذیر در رشته موجبر را پیشنهاد می¬دهیم که می¬تواند مشخصات لیزری و اتلاف گرمایی را بهبود بخشد. جریان حدنهایی (Ith) در دو اتاق سنجیده شده است و درجه¬حرارت مشخصه (T0) 44.5 mA و 104.2k با زاویه واگرایی 16.4 درجه می¬باشد.