در این مقاله، ساختاری جهت تحقق تقویت کننده¬ی مقاومت انتقالی (TIA ) جدیدی پیشنهاد می¬شود. ساختار پیشنهادی با استفاده از یک ترانزیستور سورس پیرو و ترانزیستور سورس مشترک به عنوان فیدبک ولتاژ-جریان، مقاومت ورودی و مقاومت خروجی را کاهش می¬دهد. در این ساختار، به جای استفاده از مقاومت برای تبدیل جریان به ولتاژ، ترارسانایی ترانزیستور به تراامپدانس تبدیل می¬شود و با تزریق جریان به درین ترانزیستور، خروجی ولتاژ مطلوب در گیت ایجاد می¬شود. سپس مداری بر اساس ساختار ارائه شده، پیشنهاد می¬شود. مدار پیشنهادی با تکنولوژی CMOS 0.18µm شبیه¬سازی شده و نتایج بهره¬ برابر باdBΩ 59 با ریپل بهره¬ی کمتر از dBΩ1 در پهنای باند GHz10.6 به دست آمد. توان مصرفی مدار mW18 با منبعV1.8 و چگالی طیفی جریان نویز در ورودی pA/√Hz 21 محاسبه شد. مقادیر بالا در حضور خازن پارازیتی 300fF فوتودیود در ورودی است. در ساختار جدید مصالحه¬های جدیدی ممکن می¬شود. این مصالحه¬ها درجات آزادی بیشتری را که در ساختارهای قبلی در دسترس نبود، فراهم می-سازد