در اين مقاله ابتدا يک سلول خورشيدي لايه نازک2 Se Cu(In,Ga) ,CIGS با ساختار 3لايه ارائه شده وبا شبيه سازي سلول 5 لايه و کاهش عنصر گاليم به مقدار صفر توسط نرم افزارWXAMPS توانسته ايم به سلولCGS با بازده 32% برسيم .کميتهاي مهم جريان اتصال کوتاه ،ولتاژ مدار باز وضريب انباشت مورد مطالعه قرار گرفته وافزايش جريان ،ولتاژ و راندمان قابل توجه است . در ضخامت بهينه براي لايه جاذب CIGS، mµ3 به ازاي باندگاف 1.25 eV مقادير نوعي
Jsc =38.71( mA /cm²) ,Voc= 0.77 V ,ff= 83.89 Effi =25%
و در سلول CGS Jsc =38.76( mA /cm²) ,Voc= 0.97 V ,ff= 84.66 Effi =32 به دست آمده است.