نانو لوله های گالیم نیترید شبیه سازی شده و با نانولوله های کربنی مقایسه شده است .نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که نانولوله های گالیم نیترید عمدتا نیمه هادی می باشد.محاسبات ساختار باند انرژی و چگالی حالت موید این مطلب است.در این مقاله ازیک مدل تحلیلی دقیق که بر اساس تئوری تابع چگالی(DFT)پایه ریزی شده،استفاده گردیده است. مشخصه ولتاژ-جریان یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله ای با گیت مسطح که کانال آن از نانو لوله گالیم نیترید زیگزاگ (10,0)می باشد مورد بررسی قرار گرفته و نتایج حاصل با نانو لوله کربنی مقایسه شده است. نتایج نشان میددهد با ابعاد و در شرایط مشابه ترانزیستورهای نانولوله گالیم نیترید نسبت به نانولوله های کربنی جریاندهی کمتری دارند.