فهم ارتباط بین خواص الکترونیکی و شیمیایی یک گروه وسیع از مولکول ها اولین قدم به سوی توسعه تکنولوژی مبنای مولکولی است.
در این مقاله، برای نخستین بار، یک سیم کوانتومی از جنس گالیم نیتراید برای هدایت الکترون ها در مدارات الکترونیکی مورد بررسی قرار گرفته است.نانو ساختارهای نیمه هادی به دلیل وسعت کاربردی شان در سیستم های فیزیکی ، برای مطالعه ترابرد الکترونی به شدت محبوبیت دارند. نانوسیم نیمه رسانای گالیم نیتراید مهم ترین ماده ی کلیدی بعد از سیلیکون محسوب می شود که به دلیل ساختارالکترونی منحصر به فرد (گاف انرژی قابل توجه (3/4 ev) ) پایداری و استحکام مناسب یکی از گزینه های مورد توجه در زمینه الکترونیک مولکولی می باشد.
در این جا ما اثر طول نانو سیم و پیوند های سیگما و پای را در دوحالت (زیگزاگ - آرمچر) بر روی خواص ترابرد الکترونی در یک نانو سیم گالیم نیتراید متصل به دو الکترود نیمه بی نهایت سه بعدی مورد بررسی قرار دادیم.
محاسباتمان مبتنی بر روش تابع گرین مطابق با تقریب بستگی قوی نزدیک ترین همسایه است .بعد از محاسبه ضریب عبوردهی الکتریکی، جریان الکتریکی با استفاده از فرمول بندی لاندائور - بوتیکر به دست آمده است .
ما دریافتیم که،افزایش طول نانوسیم،دردوحالت (زیگزاگ - آرمچر) سبب تغییراتی در نمودار ضریب عبوردهی برحسب انرژی وهمچنین نمودار جریان-ولتاژ می شود،وهمچنین نشان دادیم پیوندهای سیگما و پای دررسانندگی نقش متفاوت وقابل توجهی را اعمال می کنند .و نشان دادیم که ازنانوسیم گالیم نیتراید می توانیم به عنوان یک نانوسوییج دردستگاههای الکترونیکی استفاده کرد.