در این مقاله مدارات منطقی با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان (FET) بر اساسنانوتیوب‌های کربن نشان داده شده است.
طرح پیشنهادی قطعه، مشخصه‌های مطلوبی از جمله بهره (بزرگ‌تر از ۱۰)، نسبت روشن – خاموش بالا (بزرگ‌تر از ۱۰۵) و عملکرد در دمای اتاق را نشان می‌دهد. مهم‌تر آنکه نمونه آزمایشی با گیت‌های محلی، اجازه اجتماع قطعات زیادی را روی یک تراشه فراهم می‌کند. مدارات یک، دو و سه ترانزیستوری نشان داده شده است که محدوده‌ای از عملیات منطقی را به نمایش می‌گذارند. از آن جمله می‌توان به معکوس‌گر(Not)،NOR منطقی یک سلول دسترسی اتفاقی اطلاعات (Random access memory) و یک اسیلاتور ac اشاره کرد که عملکرد هر کدام به طور مستقل توضیح داده شده است.
طرح قطعه پیشنهادی، اجازه می‌دهدپدیده‌های فیزیکی جالب و جدیدی را که منحصر به نانوتیوب‌هاست از جمله افزودن شدید ناخالصی (Strong doping)، تحلیل دقیق تغییرات جریان تطابق قابل‌قبول نتایج تئوری با اندازه‌گیری‌هاو تغییرات انتشار بار، کشف کنیم.