-
تاثیر توزیع ناخالصی های بستر بر عملکرد ترانزیستور MOSFET با آلایش هاله گون در سورس و درین
-
- تاریخ انتشار 1399/05/20
- تعداد صفحات 4
- زبان مقاله فارسی
- حجم فایل 510 کیلو بایت
- تعداد مشاهده چکیده 66
- قیمت 29,000 تومان
- تخفیف 0 تومان
- قیمت با احتساب تخفیف: 29,000 تومان
- قیمت برای کاربران عضو سایت: 23,200 تومان
- محل انتشار پنجمین کنفرانس بین المللی نوآوری و تحقیق در علوم مهندسی ICIRES 2020
-
نویسندگان مقاله
- رضا نصرتی دانشگاه آزاد اسلامی واحد پردیس سیرجان
- مهران ابدالی دانشگاه آزاد اسلامی واحد پردیس سیرجان
-
چکیده مقاله
در این پژوهش به بررسی آثار کانال کوتاه در ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته و تاثیر ایجاد آلایش هاله گون تحت انرژی و زوایای مختلف را بر حاملهای داغ پرداخته شده است. این روش نشان می دهد که ایجاد آلایش هاله گون با زاویه ای بزرگتر یا انرژی بیشتر باعث بهبود پیچش ولتاژ آستانه میشود. بنابراین اثر حامل های داغ در این نواحی بیشتر میشود که ترانزیستورهای دارای آلایش هالهگون ایجادشده با انرژی پایین تر و زاویه بزرگتر نسبت به ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون ایجاد شده با انرژی بالاتر و زاویه کوچکتر دارای اثر حاملهای داغ کمتری خواهند بود. در نتیجه با ایجاد آلایش هاله گون اثر DIBL و پیچش ولتاژ آستانه و Ioff بهبود مییابد.
-
کلید واژه
ترانزیستور MOSFET/ آلایش هاله گون/ توزیع ناخالصی/
-
راهنمای خرید و دانلود
- اگر در مجموعه Confpaper عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق دکمه زیر اصل این مقاله را خریداری نمایید .
- با عضویت در Confpaper می توانید اصل مقالات را با حداقل 20 درصد تخفیف دریافت نمایید .
- برای عضویت به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید .
- در صورتی که عضو این پایگاه هستید،از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد سایت شوید .
- لینک دانلود فایل خریداری شده به ایمیل شما ارسال میگردد .
نظرات کاربران
برای ارسال نظر، لطفا وارد حساب کاربری خود شوید.
