-
بررسی خواص الکتروفیزیکی واریستورهای کامپوزیتی بر مبنای سیلیسیم نوع nپلیمر
-
- تاریخ انتشار 1397/09/21
- تعداد صفحات 10
- زبان مقاله فارسی
- حجم فایل 587 کیلو بایت
- تعداد مشاهده چکیده 914
- قیمت 29,000 تومان
- تخفیف 0 تومان
- قیمت با احتساب تخفیف: 29,000 تومان
- قیمت برای کاربران عضو سایت: 23,200 تومان
- محل انتشار اولین همایش بین المللی نوآوری در مهندسی برق ومهندسی رایانه
-
نویسندگان مقاله
- فریبا تبریزی دانشجو، دانشگاه تبریز
- مجتبی پرهیزکار استادیار، دانشگاه تبریز
- محمد غفوری استادیار
-
چکیده مقاله
واریستورهای کامپوزیتی سیلیسیم نوع nپلیمر به روش پرس گرم در دمای 130 درجه سانتی گراد و فشار 60 مگاپاسکال تهیه شدند . بررسی ویژگی جریان-ولتاژ نمونه ها نشان میدهد که با افزایش سیلیسیم نوع n ولتاژ شکست کاهش و جریان نشتی افزایش مییابد که این رفتار به کاهش مقدار پلیمر در مرز بین دانهای و کاهش سد پتانسیل مربوط میشود. برخلاف ولتاژ شکست، ضریب غیر خطی و در واقع کیفیت واریستور با افزایش سیلیسیم نوع n افزایش مییابد. تصاویر SEM نیز احاطه شدن دانه ها توسط فاز پلیمری در درصدهای پایین سیلیسیم نوع n و سپس کاهش فاز پلیمری را نشان میدهند که تاییدی بر رفتارهای الکتریکی واریستور مورد تحقیق در این مقاله میباشد.
-
کلید واژه
واریستور/ سیلیسیم نوع n/ پلی آنیلین/ پلی اتیلن/مشخصه جریان- ولتاژ/ سدپتانسیل
-
راهنمای خرید و دانلود
- اگر در مجموعه Confpaper عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق دکمه زیر اصل این مقاله را خریداری نمایید .
- با عضویت در Confpaper می توانید اصل مقالات را با حداقل 20 درصد تخفیف دریافت نمایید .
- برای عضویت به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید .
- در صورتی که عضو این پایگاه هستید،از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد سایت شوید .
- لینک دانلود فایل خریداری شده به ایمیل شما ارسال میگردد .
نظرات کاربران
برای ارسال نظر، لطفا وارد حساب کاربری خود شوید.