با توجه به گسترش روزافزون علم نانو و مزایای متنوع استفاده از این علم، نیاز است جهت پیشبرد اهداف، در الکترونیک از فناورینانو بهره مند شویم. تاخیر مدارات طراحی شده با ترانزیستورهای سیلیکونی در مدارهای مجتمع بسیار مشهود است CNFET ها به خاطر توانایی های منحصر به فردشان از جمله ابعاد خیلی کوچک، سرعت زیاد و توان مصرفی بسیار پایین و همچنین به خاطر مشابه بودن عملکردشان با CMOS ها به عنوان یک جایگزین ایده آل برای ترانزیستورهای سیلیکونی مطرح شدند. این مقاله یک مدار لچ با استفاده از ترانزیستور نانوتیوب کربن 32 نانومتر طراحی شده و با مدل 45CMOS نانومتر مورد مقایسه و بحث و بررسی قرار گرفته است. شبیه سازی های مداری با استفاده از نرم افزار HSPICE انجام شده و جهت طراحی مدار لچ با استفاده ازترانزیستور نانوتیوب کربن از مدل Stanford با طول کانال 32 نانومتر و تعداد تیوبها 3 استفاده شده است. برای بررسی و مقایسه، مدل 45CMOS ناتومتر با استفاده از تکنولوژی 45 نانومتر مدل PTM 45nm Metal Gate / High-K شبیه سازی شده است که عملکرد و کارآیی ترانزیستور کربن نانوتیوب در مقایسه با تکنولوژی CMOS بحث و بررسی شده است. نتایج بررسی ها نشان می دهد که، در مقایسه مدار لچ 32CNFET نانومتر با مدار لج 45CMOS نانومتر پاسخ فرکانسی 10 برابر افزایش داشته، زمان صعود 230 برابر کاهش داشته است. همچمن 3.51 برابر کاهش توان را نشان میدهد و در برابر نویز سینوسی ورودی از منبع پایدار است که نشان از مزایای مدار لچ طراحی شده با 32CNFET نانومتر است.