واریستورهای کامپوزیتی سیلیسیم نوع nپلیمر به روش پرس گرم در دمای 130 درجه سانتی گراد و فشار 60 مگاپاسکال تهیه شدند . بررسی ویژگی جریان-ولتاژ نمونه ها نشان میدهد که با افزایش سیلیسیم نوع n ولتاژ شکست کاهش و جریان نشتی افزایش مییابد که این رفتار به کاهش مقدار پلیمر در مرز بین دانهای و کاهش سد پتانسیل مربوط میشود. برخلاف ولتاژ شکست، ضریب غیر خطی و در واقع کیفیت واریستور با افزایش سیلیسیم نوع n افزایش مییابد. تصاویر SEM نیز احاطه شدن دانه ها توسط فاز پلیمری در درصدهای پایین سیلیسیم نوع n و سپس کاهش فاز پلیمری را نشان میدهند که تاییدی بر رفتارهای الکتریکی واریستور مورد تحقیق در این مقاله میباشد.